从格伦·安德森注：英“一个星期检查DIMMCheck结果和固定的DIMM后，我现在知道到底是怎么回事，并可以提供这整个matter.First的时候，我想解释一些明确的答案RAM的速度，因为似乎有很多混乱吧。看完一些RAM供应商的声明，似乎他们只是有一样困惑其他人。
“上的DIMM的SDRAM芯片可以在不同的运行速度，这是由CAS延迟（CL）该DIMM运行设置。大多数SDRAM芯片可以在CL3模式和CL2模式下运行，虽然少了一些常见的可以在CL3模式下运行。到目前为止，我还没有看到，只有在任何我回顾了规范的运行模式CL2任何SDRAM芯片。与流行的误解，CL3模式比CL2模式快。这样做的原因是混淆误解芯片的PC的速度评级。一个PC100-322 DIMM可以为10ns（100MHz时）的速度在CL3模式下运行，这就是在PC100-322 3是，它通常会在为12ns（83MHz的）或为15ns（66MHz的）在CL2模式下运行。一个PC100-222 DIMM可以为10ns（100MHz时）的速度在CL2模式下运行，但为8ns（125MHz的）的CL3模式下通常会运行。
“我只能看着在苹果开发者备注为B＆W G3和台G4的RAM要求（除了需要PC133 RAM新台G4）。苹果一直要求PC100内存就是为8ns或更快，原来的iMac需要10ns的RAM，新的iMac电脑需要为8ns，iBooks的要求为15ns，是PowerBook G3 FireWire和G4需要为10ns。PC100-222 RAM只会在为8ns（125MHz的）或更快时CL3模式，在CL2模式，它只会在10ns的运行运行（100MHz的）。
“新固件更严格，执行此。约99％的固件更新后无法正常工作的RAM不工作，因为在串行设备的定时信息检测EEPROM的DIMM没有规范的CL3模式。这些绝大多数只有在为10ns（100MHz时）速度CL2模式的定时信息，他们没有为更快的CL3模式时序。即使苹果没有支持这些DIMM时的DIMM不会运行在他们全速。
“苹果实际上已经相当宽松的固件更新，我所看到的RAM只会在CL3模式为10ns运行工作正常G4S更新之后，我已见过的RAM，将在10ns的运行具有高达8ns的更新，这是唯一的PC66的RAM之后工作。时的访问时间有关的RAM是PC100它需要10ns的同为6ns的访问时间或更少。
“剩余RAM固件更新后无法正常工作，还有一部分是因为在SPD EEPROM的定时信息说，这是比10ns的速度较慢，而且它的一些只是未能正常工作时运行在为8ns或更快。它出现在新的固件更新将需要更快的DIMM优势。
“我工作的不足，在SPD EEPROM CL3时序信息的修复程序，但它仅仅是一个快速解决，这一切都弄不好会做的是复制CL2计时信息，这是通常只有10ns的。
“如果您有没有工作，据说是一个PC100-222 DIMM，也不会在它运行的全速所以你最好把它交换对于一个被正确编程，因为它会与新的固件更新跑得更快。我建议RAM的供应商，他们不只是保证他们的DIMM将与固件更新，就应该保证它会工作在全速固件更新“
重要提示：如果您购买的是256MB或512MB DIMM而你不知道这是否会在Mac上，不买有来自16个芯片制成的单一银行的DIMM，确保它具有每8芯片两家银行，或8个芯片或两家银行256MB的DIMM一家银行4芯片也行。不相容的DIMM，也可以识别为具有（对于512MB的DIMM）。DIMM急救将识别这些DIMM具有行地址位的数目不兼容32MX4芯片（对于256MB的DIMM）或64Mx4芯片。 DIMM急救不能修复这些DIMM
什么是此版本中的新：
增加了对的QuickSilver G4支持，现在可以检查的DIMM 。褐皮G3报告PC133-222 DIMM的速度已定的DIMM INCOM
要求：
评论没有发现