LeoMonteCrystal

        数值模拟基于改进的元胞自动机模型的蒙特卡罗实现。模拟晶体表面由二维矩阵表示，其中元素的值和位置限定分子在晶体表面上的3D位置。
基于热活化反应模型计算接受或发射分子的相对概率，这取决于表面上每个分子的近周围，其允许将表面能直接引入晶体生长模型中。
模型还允许计算由于在粗糙表面上堵塞瓶颈状结构而形成的浓缩孔型缺陷。
单个实验的参数可以输入数据面板，灵活选择使用喜欢的测量单位。

LeoMonteCrystal提供单位转换器功能，允许使用各种单位系统中定义的初始参数，以满足用户习惯。
数据输入面板立即显示为竞争理论模型计算的速度晶体生长的理论值，以及最有价值的 - 使用我们针对给定的初始参数集进行研究的结果。
由我们的公式计算的生长速率，表面粗糙度和缺陷浓度的温度依赖性显示在单独的图表中。
在修改任何一个参数之后，所有可靠变量都相应地自动更新，从而提供热力学和结晶学计算器的功能。
经常使用的一组参数，对应于感兴趣的化合物，可以保存或导入到昏迷分隔文件中（MS Excel兼容）。
在模拟过程中的“结果”面板上，有一些图表显示时间线：晶体表面生长进度的距离，粗糙度，瞬时生长速率和类似缺陷的孔的浓度。
    

此版本中的新功能：

版本1.1：由我们的专有技术公式计算的生长速率，表面粗糙度和缺陷浓度的温度依赖性显示在单独的图表中。